Nový originálny integrovaný obvod BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC čip
BSZ040N06LS5
Logická úroveň MOSFET OptiMOS™ 5 od spoločnosti Infineon je veľmi vhodná pre bezdrôtové nabíjanie, adaptéry a telekomunikačné aplikácie.Nízky náboj hradla (Q g) zariadenia znižuje spínacie straty bez ohrozenia strát vo vedení.Vylepšené čísla umožňujú operácie pri vysokých spínacích frekvenciách.Okrem toho, logická úroveň pohonu poskytuje nízke hodnoty brányudržiavacie napätie (V GS(th)), ktoré umožňuje riadiť MOSFETy pri 5V a priamo z mikrokontrolérov.
Súhrn funkcií
Low R DS(on) v malom balení
Nízky poplatok za bránu
Nižší výstupný náboj
Kompatibilita na logickej úrovni
Výhody
Dizajn s vyššou hustotou výkonu
Vyššia frekvencia spínania
Znížený počet dielov všade tam, kde sú k dispozícii 5V zdroje
Riadené priamo z mikrokontrolérov (pomalé prepínanie)
Zníženie nákladov na systém
Parametrika
| Parametrika | BSZ040N06LS5 |
| Rozpočtová cena €/1 tis | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) max | 101 A |
| IDpuls max | 404 A |
| Montáž | SMD |
| Prevádzková teplota min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 69 W |
| Balíček | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Počet pinov | 8 kolíkov |
| Polarita | N |
| QG (typ @4,5V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (zapnuté) (@4,5 V LL) max | 5,6 mΩ |
| RDS (zapnuté) (@4,5 V) max | 5,6 mΩ |
| RDS (zapnuté) (@10 V) max | 4 mΩ |
| Rth max | 1,8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1,8 K/W |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) min max | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
