IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC čip Nový elektronický komponent

Stručný opis:

Pošlite nám e-mail Stiahnite si dátumový list

Detail produktu

Štítky produktu

IPD042P03L3 G
Režim vylepšenia P-kanálu Field-Effect Tranzistor (FET), -30 V, D-PAK
Vysoko inovatívne rodiny Opti MOS™ od spoločnosti Infineon zahŕňajú napájacie MOSFET s p-kanálmi.Tieto produkty dôsledne spĺňajú najvyššie požiadavky na kvalitu a výkon v kľúčových špecifikáciách pre návrh napájacieho systému, ako je odolnosť v zapnutom stave a hodnota charakteristík.

Súhrn funkcií
Režim vylepšenia
Logická úroveň
Lavínové hodnotenie
Rýchle prepínanie
Hodnotenie Dv/dt
Bezolovnaté pokovovanie
V súlade s RoHS, bez halogénov
Kvalifikovaný podľa AEC Q101
Potenciálne aplikácie
Funkcie správy napájania
Ovládanie motora
Palubná nabíjačka
DC-DC
Spotrebiteľ
Prekladače na logickej úrovni
Ovládače brán Power MOSFET
Iné spínacie aplikácie

technické údaje

Atribút produktu	Hodnota atribútu
Výrobca:	Infineon
Kategória produktu:	MOSFET
RoHS:	Podrobnosti
Technológia:	Si
Štýl montáže:	SMD/SMT
Balenie / puzdro:	TO-252-3
Polarita tranzistora:	P-kanál
Počet kanálov:	1 kanál
Vds – Prierazné napätie odtokového zdroja:	30 V
Id – Nepretržitý odtokový prúd:	70 A
Rds On – Odpor zdroja odtoku:	3,5 mOhm
Vgs – napätie brány:	- 20 V + 20 V
Vgs th – prahové napätie brány:	2 V
Qg – Nabíjanie brány:	175 nC
Minimálna prevádzková teplota:	- 55 °C
Maximálna prevádzková teplota:	+ 175 °C
Pd – Stratový výkon:	150 W
Režim kanála:	Vylepšenie
Obchodné meno:	OptiMOS
Balenie:	Navijak
Balenie:	Odstrihnúť pásku
Balenie:	MouseReel
Značka:	Infineon Technologies
Konfigurácia:	Slobodný
Čas na jeseň:	22 ns
Dopredná transkonduktancia – Min:	65 S
výška:	2,3 mm
dĺžka:	6,5 mm
Typ produktu:	MOSFET
Čas vzostupu:	167 ns
Séria:	OptiMOS P3
Továrenské množstvo balenia:	2500
Podkategória:	MOSFETy
Typ tranzistora:	1 P-kanál
Typický čas oneskorenia vypnutia:	89 ns
Typický čas oneskorenia zapnutia:	21 ns
šírka:	6,22 mm
Časť # Aliasy:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
Hmotnosť jednotky:	0,011640 oz