Analýza zlyhania čipu IC

analýza zlyhania čipu IC,ICčipové integrované obvody sa nedokážu vyhnúť poruchám v procese vývoja, výroby a používania.So zdokonaľovaním požiadaviek ľudí na kvalitu a spoľahlivosť produktov sa práca analýzy porúch stáva čoraz dôležitejšou.Prostredníctvom analýzy porúch čipu môže IC čip dizajnérov nájsť chyby v dizajne, nezrovnalosti v technických parametroch, nesprávny návrh a prevádzku atď. Význam analýzy porúch sa prejavuje najmä v:

Podrobne, hlavný významICanalýza zlyhania čipu je znázornená v nasledujúcich aspektoch:

1. Analýza porúch je dôležitým prostriedkom a metódou na určenie mechanizmu zlyhania IC čipov.

2. Analýza porúch poskytuje potrebné informácie pre efektívnu diagnostiku porúch.

3. Analýza porúch poskytuje konštruktérom neustále zlepšovanie a zdokonaľovanie návrhu čipov, aby vyhovovali potrebám konštrukčných špecifikácií.

4. Analýza porúch môže vyhodnotiť účinnosť rôznych testovacích prístupov, poskytnúť potrebné doplnky pre testovanie výroby a poskytnúť potrebné informácie pre optimalizáciu a overenie procesu testovania.

Hlavné kroky a obsah analýzy porúch:

◆Vybaľovanie integrovaného obvodu: Pri odstraňovaní integrovaného obvodu zachovajte integritu funkcie čipu, udržiavajte matricu, lepiace podložky, spojovacie drôty a dokonca aj olovený rám a pripravte sa na ďalší experiment analýzy znehodnotenia čipu.

◆SEM skenovacie zrkadlo / analýza zloženia EDX: analýza štruktúry materiálu / pozorovanie defektov, konvenčná mikrooblastná analýza zloženia prvkov, správne meranie veľkosti zloženia atď.

◆ Test sondy: Elektrický signál vo vnútriICmožno rýchlo a jednoducho získať pomocou mikrosondy.Laser: Mikrolaser sa používa na rezanie hornej špecifickej oblasti čipu alebo drôtu.

◆Detekcia EMMI: Mikroskop EMMI pri slabom osvetlení je vysoko účinný nástroj na analýzu porúch, ktorý poskytuje vysoko citlivú a nedeštruktívnu metódu lokalizácie porúch.Dokáže odhaliť a lokalizovať veľmi slabú luminiscenciu (viditeľnú a blízko infračervenú) a zachytiť zvodové prúdy spôsobené poruchami a anomáliami rôznych komponentov.

◆ Aplikácia OBIRCH (test zmeny hodnoty impedancie indukovanej laserovým lúčom): OBIRCH sa často používa na analýzu vysokej impedancie a nízkej impedancie vo vnútri ICčipy a analýzu cesty úniku.Pomocou metódy OBIRCH je možné efektívne lokalizovať chyby v obvodoch, ako sú diery v vedeniach, diery pod priechodnými dierami a oblasti s vysokým odporom na dne priechodných dier.Následné dodatky.

◆ Detekcia horúceho bodu na LCD obrazovke: Pomocou LCD obrazovky zistite molekulárne usporiadanie a reorganizáciu v mieste úniku IC a zobrazte bodový obraz odlišný od iných oblastí pod mikroskopom, aby ste našli miesto úniku (chybový bod väčší ako 10 mA), čo bude pri skutočnej analýze obťažovať projektanta.Brúsenie čipov s pevným bodom/bez pevného bodu: odstráňte zlaté hrbolčeky implantované na podložke čipu ovládača LCD, aby bola podložka úplne nepoškodená, čo prispieva k následnej analýze a opätovnému lepeniu.

◆Röntgenové nedeštruktívne testovanie: Zistite rôzne defekty v ICobal čipu, ako je odlupovanie, prasknutie, dutiny, neporušenosť kabeláže, PCB môže mať určité chyby vo výrobnom procese, ako je zlé zarovnanie alebo premostenie, otvorený obvod, skrat alebo abnormalita Chyby v spojoch, neporušenosť guľôčok spájky v obaloch.

◆SAM (SAT) ultrazvuková detekcia defektov môže nedeštruktívne odhaliť štruktúru vo vnútriICobal čipu a efektívne zisťujú rôzne poškodenia spôsobené vlhkosťou a tepelnou energiou, ako je delaminácia povrchu doštičiek O, guľôčky spájky, doštičky alebo plnivá V obalovom materiáli sú medzery, póry vo vnútri obalového materiálu, rôzne otvory, ako sú lepiace povrchy doštičiek , spájkovacie guľôčky, plnivá atď.